The role of SiF4 physisorption in silicon cryoetching - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2019

The role of SiF4 physisorption in silicon cryoetching

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02311339 , version 1 (10-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02311339 , version 1

Citer

Gaëlle Antoun, Thomas Tillocher, Philippe Lefaucheux, Remi Dussart, Christophe Cardinaud, et al.. The role of SiF4 physisorption in silicon cryoetching. Plasma Thin Film International Union Meeting, Sep 2019, Antibes, France. ⟨hal-02311339⟩
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