Understanding the Crystallization Behavior of Surface-Oxidized GeTe Thin Films for Phase-Change Memory Application - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ACS Applied Electronic Materials Année : 2019

Understanding the Crystallization Behavior of Surface-Oxidized GeTe Thin Films for Phase-Change Memory Application

Domaines

Matériaux
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02311359 , version 1 (10-10-2019)

Identifiants

Citer

Andrea Kolb, Nicolas Bernier, Eric Robin, Anass Benayad, Jean-Luc Rouviere, et al.. Understanding the Crystallization Behavior of Surface-Oxidized GeTe Thin Films for Phase-Change Memory Application. ACS Applied Electronic Materials, 2019, 1 (5), pp.701-710. ⟨10.1021/acsaelm.9b00070⟩. ⟨hal-02311359⟩
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