Demonstration of BEOL-compatible ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 scaled FeRAM co-integrated with 130nm CMOS for embedded NVM applications - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Demonstration of BEOL-compatible ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 scaled FeRAM co-integrated with 130nm CMOS for embedded NVM applications

S Slesazeck
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V Havel
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C Richter
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E T Breyer
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M Materano
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U Schroeder
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Résumé

We demonstrate successful scalability of conventional 100µm diameter TiN/HZO/TiN capacitors down to 300nm by successfully co-integrating them for the first time in the Back-End-Of-Line of 130nm CMOS technology. Excellent performance are reported on those scaled bitcells, such as remnant polarization 2.PR > 40µC/cm², endurance > 10 11 cycles, switching speeds < 100ns, operating voltages < 4V, and data retention at 125°C. Presented results pave the way to < 10fJ/bit ultra-low power FeRAM for IoT applications.
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Dates et versions

hal-02399654 , version 1 (09-12-2019)

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Citer

T. Francois, L. Grenouillet, J. Coignus, P. Blaise, C. Carabasse, et al.. Demonstration of BEOL-compatible ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 scaled FeRAM co-integrated with 130nm CMOS for embedded NVM applications. 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Dec 2019, San Francisco, United States. ⟨10.1109/IEDM19573.2019.8993485⟩. ⟨hal-02399654⟩
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