Temperature and voltage effects on HTRB and HTGB stresses for AlGaN/GaN HEMTs - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

Temperature and voltage effects on HTRB and HTGB stresses for AlGaN/GaN HEMTs

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02500021 , version 1 (05-03-2020)

Identifiants

Citer

Omar Chihani, Loïc Théolier, Jean-Yves Delétage, Eric Woirgard, Alain Bensoussan, et al.. Temperature and voltage effects on HTRB and HTGB stresses for AlGaN/GaN HEMTs. 2018 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Mar 2018, San-Francisco, United States. pp.P-RT.2-1-P-RT.2-6, ⟨10.1109/irps.2018.8353685⟩. ⟨hal-02500021⟩
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