TCAD setup for an advanced SiGe HBT technology applied to the HS, MV and HV transistor versions - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02511643 , version 1 (18-03-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02511643 , version 1

Citer

Tommy Rosenbaum, Didier Céli, Michael Schröter, Cristell Maneux. TCAD setup for an advanced SiGe HBT technology applied to the HS, MV and HV transistor versions. Bipolar ArbeitsKreis, Nov 2016, München, Germany. ⟨hal-02511643⟩
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