High Pressure, High Temperature Behavior of Sn-Ge-N and Si-Ti-N Compounds - CNRS - Centre national de la recherche scientifique
Communication Dans Un Congrès Année : 2018

High Pressure, High Temperature Behavior of Sn-Ge-N and Si-Ti-N Compounds

Shrikant Bhat
  • Fonction : Auteur
R. Faria
  • Fonction : Auteur
J. C.
  • Fonction : Auteur
T. Katsura
  • Fonction : Auteur
Institute for Study of the Earth's Interior
Samuel Bernard
IRCER - Axe 4 : céramiques sous contraintes environnementales
Ralf Riedel
  • Fonction : Auteur
Technische Universität Darmstadt - Technical University of Darmstadt

Domaines

Chimie

Samuel Bernard  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://cnrs.hal.science/hal-02861710

Soumis le : mardi 9 juin 2020-10:39:12

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:15

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02861710 , version 1 (09-06-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02861710 , version 1

Citer

Shrikant Bhat, R. Faria, J. C., T. Katsura, Samuel Bernard, et al.. High Pressure, High Temperature Behavior of Sn-Ge-N and Si-Ti-N Compounds. 9th International Workshop Spinel Nitrides and Related Materials, Sep 2018, Rüdesheim, Germany. ⟨hal-02861710⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UNILIM CNRS SPCTS IPAM SPCTS-AXE4 INC-CNRS IRCER IRCER-AXE4 IMPEO
30 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More