In Situ X-ray Diffraction Study of GaN Nucleation on Transferred Graphene - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Crystal Growth & Design Année : 2020

In Situ X-ray Diffraction Study of GaN Nucleation on Transferred Graphene

Etude par diffraction in situ de la nucléation de GaN sur du graphène transféré

Camille Barbier
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1081730
Tao Zhou
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 761275
  • IdRef : 223505056
Gilles Renaud
Patrick Le Fèvre
Frank Glas
Maria Tchernycheva
Jean-Christophe Harmand
Ludovic Largeau
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In situ X-ray diffraction study of GaN nucleation on transferred graphene_Final_withSI.pdf (460.13 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03008961 , version 1 (17-11-2020)

Identifiants

Citer

Camille Barbier, Tao Zhou, Gilles Renaud, Patrick Le Fèvre, Frank Glas, et al.. In Situ X-ray Diffraction Study of GaN Nucleation on Transferred Graphene. Crystal Growth & Design, 2020, 20 (6), pp.4013-4019. ⟨10.1021/acs.cgd.0c00306⟩. ⟨hal-03008961⟩
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