Interface dislocations in InxGa1–xN/GaN heterostructures - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Phys.Status Solidi A Année : 2016
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03351874 , version 1 (22-09-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03351874 , version 1

Citer

Q.T. Li, A. Minj, M-P Chauvat, Jun Chen, Ruterana P.. Interface dislocations in InxGa1–xN/GaN heterostructures. Phys.Status Solidi A, 2016. ⟨hal-03351874⟩
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