Improved Simulation of Ion Track Structures Using New Geant4 Models—Impact on the Modeling of Advanced Technologies Response - CNRS - Centre national de la recherche scientifique
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nuclear Science Année : 2012

Improved Simulation of Ion Track Structures Using New Geant4 Models—Impact on the Modeling of Advanced Technologies Response

Audrey Valentin
Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux
CV
M. Raine
  • Fonction : Auteur
M. Gaillardin
  • Fonction : Auteur
DAM Île-de-France
P. Paillet
DAM Île-de-France

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Génie des procédés Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

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Soumis le : lundi 22 novembre 2021-13:16:54

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hal-03440054 , version 1 (22-11-2021)

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Citer

Audrey Valentin, M. Raine, M. Gaillardin, P. Paillet. Improved Simulation of Ion Track Structures Using New Geant4 Models—Impact on the Modeling of Advanced Technologies Response. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2012, 59 (6), pp.2697-2703. ⟨10.1109/TNS.2012.2220783⟩. ⟨hal-03440054⟩

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