Phonon effect on single-electron transport in two-dot semiconductor devices - CNRS - Centre national de la recherche scientifique
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2009
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Dates et versions

hal-03440059 , version 1 (22-11-2021)

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Citer

Audrey Valentin, Sylvie Galdin-Retailleau, Philippe Dollfus. Phonon effect on single-electron transport in two-dot semiconductor devices. Journal of Applied Physics, 2009, 106 (4), pp.044501. ⟨10.1063/1.3186035⟩. ⟨hal-03440059⟩
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