Article Dans Une Revue
Nanotechnology
Année : 2014
Ludovic Desplanque : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03779284
Soumis le : vendredi 16 septembre 2022-15:50:48
Dernière modification le : vendredi 19 avril 2024-11:50:08
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03779284 , version 1
- DOI : 10.1088/0957-4484/25/46/465302
Citer
L Desplanque, M Fahed, X Han, V Chinni, D Troadec, et al.. Influence of nanoscale faceting on the tunneling properties of near broken gap InAs/AlGaSb heterojunctions grown by selective area epitaxy. Nanotechnology, 2014, 25 (46), pp.465302. ⟨10.1088/0957-4484/25/46/465302⟩. ⟨hal-03779284⟩
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