Influence of nanoscale faceting on the tunneling properties of near broken gap InAs/AlGaSb heterojunctions grown by selective area epitaxy - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Nanotechnology Année : 2014
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Dates et versions

hal-03779284 , version 1 (16-09-2022)

Identifiants

Citer

L Desplanque, M Fahed, X Han, V Chinni, D Troadec, et al.. Influence of nanoscale faceting on the tunneling properties of near broken gap InAs/AlGaSb heterojunctions grown by selective area epitaxy. Nanotechnology, 2014, 25 (46), pp.465302. ⟨10.1088/0957-4484/25/46/465302⟩. ⟨hal-03779284⟩
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