Gallium nitride surface protection during RTA annealing with a GaO x N y cap-layer - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2016

Gallium nitride surface protection during RTA annealing with a GaO x N y cap-layer

Wahid Khalfaoui
  • Fonction : Auteur
T Oheix
  • Fonction : Auteur
F Cayrel
  • Fonction : Auteur
R Benoit
A Yvon
  • Fonction : Auteur
E Collard
  • Fonction : Auteur
D Alquier
  • Fonction : Auteur

Domaines

Chimie
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03878824 , version 1 (30-11-2022)

Identifiants

Citer

Wahid Khalfaoui, T Oheix, F Cayrel, R Benoit, A Yvon, et al.. Gallium nitride surface protection during RTA annealing with a GaO x N y cap-layer. Semiconductor Science and Technology, 2016, 31 (4), pp.045008. ⟨10.1088/0268-1242/31/4/045008⟩. ⟨hal-03878824⟩
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