Article Dans Une Revue
Semiconductor Science and Technology
Année : 2016
Roland BENOIT : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://cnrs.hal.science/hal-03878824
Soumis le : mercredi 30 novembre 2022-09:31:32
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:29
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03878824 , version 1
- DOI : 10.1088/0268-1242/31/4/045008
Citer
Wahid Khalfaoui, T Oheix, F Cayrel, R Benoit, A Yvon, et al.. Gallium nitride surface protection during RTA annealing with a GaO x N y cap-layer. Semiconductor Science and Technology, 2016, 31 (4), pp.045008. ⟨10.1088/0268-1242/31/4/045008⟩. ⟨hal-03878824⟩
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