Commande rapprochée d'un IGBT pour l'atténuation des perturbations électromagnétiques
Résumé
Power transistors such as IGBTs and MOSFETs are a source of electromagnetic interference (EMI) during switching due to rapid voltage/current variations. Increasing the switching time can reduce the generation of EMI but increases losses. Several driving methods to reduce EMI have been proposed in the literature. In this work, a driving method based on the control of a grid current profile, made possible by new drivers available on the market, is proposed. This is based on the gate-source voltage of transistor as as a function of the charge injected into the gate. In order to demonstrate the performance of this method, it is evaluated by SPICE simulation using a figure of merit that enables it to be compared quantitatively with a reference method known as CATS (Commande autour de la Tension de Seuil).
Les transistors de puissance comme les IGBT et les MOSFET sont une source d'interférences électromagnétiques (EMI) pendant les commutations en raison des variations rapides de tension/courant. L'augmentation de la durée des commutations peut réduire la production des EMI mais augmente les pertes. Plusieurs techniques de commande rapprochée pour réduire ces EMI ont été proposées dans la littérature. Dans ce travail, une commande basée sur le contrôle d'un profil de courant de grille, rendu possible par de nouveaux drivers disponibles sur le marché, est proposé. Pour cela, on s'appuie sur la caractéristique du transistor de tension grille-source en fonction de la charge injectée dans la grille. Afin de démontrer la performance de cette méthode, elle est évaluée par simulation SPICE à l'aide d'un facteur de mérite permettant de la comparer quantitativement à une technique de référence dénommée CATS (Commande autour de la Tension de Seuil).
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