InGaAs/GaAsP Superlattice Resonant Cavity-Enhanced Photodetector Fabricated on a Nominal Si(001) Substrate for Near- and Short-Wavelength Infrared Applications
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Physique [physics]Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
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Soumis le : vendredi 17 novembre 2023-15:12:47
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:53:24