Combining in-situ measurements in molecular beam epitaxy : Study of AlGaAs properties at growth temperature - CNRS - Centre national de la recherche scientifique
Poster De Conférence Année : 2024

Combining in-situ measurements in molecular beam epitaxy : Study of AlGaAs properties at growth temperature

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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https://cnrs.hal.science/hal-04710142

Soumis le : vendredi 27 septembre 2024-13:23:42

Dernière modification le : samedi 14 décembre 2024-03:22:14

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Dates et versions

hal-04710142 , version 1 (27-09-2024)

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Identifiants

  • HAL Id : hal-04710142 , version 1

Citer

Pierre Gadras, Léopold Bourdon, Antoine Fées, Karim Ben Saddik, Guilhem Almuneau, et al.. Combining in-situ measurements in molecular beam epitaxy : Study of AlGaAs properties at growth temperature. VCSEL Day 2024, Sep 2024, Toulouse, France. , 2024. ⟨hal-04710142⟩

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