Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 1993
Jocelyne Lorgeril : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.in2p3.fr/in2p3-00000781
Soumis le : mardi 9 mars 1999-10:36:01
Dernière modification le : lundi 27 novembre 2023-16:29:46
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : in2p3-00000781 , version 1
Citer
G. Leo, M.O. Ruault. In situ transmission electron microscopy study of dislocation loops induced by P implantation in CdTe single crystals. Journal of Applied Physics, 1993, 73, pp.2234-2238. ⟨in2p3-00000781⟩
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