Etude d'une cellule photovoltaïque à jonction liquide : la cellule GaAs-n/(Se2-/Sen2-)/Pt
Résumé
Une étude de la cellule GaAs-n/(Se2- /Sen2- )/Pt, où l'électrode de GaAs est protégée contre la photo-décomposition par le couple redox séléniure/polyséléniure, est présentée. Un rendement énergétique de 11 % sous éclairement par une lampe à arc xénon a été atteint. La cellule a pu fonctionner pendant huit jours sous illumination solaire sans que l'on observe de baisse de ses performances. La faible décomposition de la photoanode est attribuée à la dégradation de l'électrolyte, provoquée par la présence de traces d'oxygène dans la cellule, ainsi que par les problèmes de circulation des espèces chimiques entre l'électrode semiconductrice et la contre-électrode. Le mécanisme de stabilisation de l'anode semiconductrice est discuté.
Mots clés
gallium arsenide
III V semiconductors
photoelectrochemical cells
semiconductor electrolyte boundaries
solar cells
liquid solar cell
n GaAs Se sup 2 Se sub n sup 2 Pt
photoelectrochemical cell
power efficiency
weak decomposition
photoanode
degradation
electrolyte
chemical species transfer
semiconductor anode stabilization mechanism
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