Interface defect formation for atomic layer deposition of SnO2 on metal halide perovskites - Institut Lavoisier de Versailles
Article Dans Une Revue Nano Energy Année : 2024

Interface defect formation for atomic layer deposition of SnO2 on metal halide perovskites

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hal-04597227 , version 1 (19-11-2024)

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Nitin Mallik, Javid Hajhemati, Mathieu Frégnaux, Damien Coutancier, Ashish Toby, et al.. Interface defect formation for atomic layer deposition of SnO2 on metal halide perovskites. Nano Energy, 2024, 126, pp.109582. ⟨10.1016/j.nanoen.2024.109582⟩. ⟨hal-04597227⟩
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