Contact ohmique de faible résistivité sur SiC-4H dopé type-P
Domaines
Energie électriqueOrigine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
---|
Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
---|
Dominique Planson : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-04606381
Soumis le : lundi 10 juin 2024-10:14:39
Dernière modification le : mercredi 12 juin 2024-03:16:23