Contact ohmique de faible résistivité sur SiC-4H dopé type-P - Institut des nanotechnologies de Lyon Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Contact ohmique de faible résistivité sur SiC-4H dopé type-P

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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04606381 , version 1 (10-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04606381 , version 1

Citer

M Soueidan, Mihai Lazar, D. Tournier, Dominique Planson, Christophe Raynaud, et al.. Contact ohmique de faible résistivité sur SiC-4H dopé type-P. 4eme colloque sur les Matériaux du Génie Electrique, May 2008, Toulouse, France. ⟨hal-04606381⟩
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