Diode PiN SiC-4H 1,2kV sur épi-wafer SiCrystal - Institut des nanotechnologies de Lyon Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Diode PiN SiC-4H 1,2kV sur épi-wafer SiCrystal

Sigo Scharnholz
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 960081

Résumé

Dans la recherche sur le carbure de silicium, la société américaine CREE est le leader mondial et fournit presque tous les substrats qui sont utilisés dans les travaux des différentes équipes à travers le monde. En Europe, la société allemande SiCrystal propose désormais aujourd’hui des épi-wafers pour la fabrication de composants 1,2 kV. Le travail présenté dans ce papier est la réalisation de diodes bipolaires PiN SiC-4H 1,2 kV protégées par une JTE à partir d’un épi-wafer de chez SiCrystal. Les composants obtenus montrent une tenue en tension maximale de 1,2 kV, une densité de courant de 400 A.cm-2 et une résistance à l’état passant de 4.4 m .cm-2. Le rendement des diodes fabriquées pour une tenue en tension supérieure à 600 V est de 75%.

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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-04618792 , version 1 (20-06-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04618792 , version 1

Citer

Heu Vang, Christophe Raynaud, Pierre Brosselard, Mihai Lazar, Pierre Cremillieu, et al.. Diode PiN SiC-4H 1,2kV sur épi-wafer SiCrystal. 11ème colloque Electronique de Puissance du Futur, Jul 2006, Grenoble, France. ⟨hal-04618792⟩
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