Power Handling of GaN Schottky Diodes on Semi-Insulating Ammonothermal GaN Substrate at 94 GHz - Institut de Recherche sur les Composants logiciels et matériels pour l'Information et la Communication Avancée (IRCICA) est une Unité de Service et de Recherche Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Power Handling of GaN Schottky Diodes on Semi-Insulating Ammonothermal GaN Substrate at 94 GHz

Résumé

In this paper, we report electrical results and handling power results of different Schottky diodes based on 620 nm of n- Gallium Nitride (GaN) fabricated on ammonothermal GaN substrate. The breakdown voltage obtained is 115 V/µm. Diodes held 29.6 dBm at zero bias and we detected an output voltage of 16.5 V at 94 GHz

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Dates et versions

hal-04517550 , version 1 (22-03-2024)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04517550 , version 1

Citer

Mahmoud ABOU DAHER, Hugo Bouillaud, Pawel Prystawko, Michal Bockowski, Etienne Okada, et al.. Power Handling of GaN Schottky Diodes on Semi-Insulating Ammonothermal GaN Substrate at 94 GHz. WOCSDICE-EXMATEC, May 2023, Palerme (Italie), Italy. ⟨hal-04517550⟩
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