Communication Dans Un Congrès
Année : 2002
France Le Bihan : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00085684
Soumis le : jeudi 13 juillet 2006-12:31:48
Dernière modification le : lundi 12 février 2024-12:04:05
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00085684 , version 1
Citer
L. Mahdjoubi, Tayeb Mohammed-Brahim, France Le Bihan. Characterisation of in-situ doped polycrystalline silicon using Schottky diodes. E-MRS (European Materials Research Society), 2002, Strasbourg, France. ⟨hal-00085684⟩
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