Progress on new wide bandgap materials BGaN, BGaAlN and their potential applications - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Progress on new wide bandgap materials BGaN, BGaAlN and their potential applications

A. Ougazzaden
S. Gautier
  • Fonction : Auteur
T. Aggerstam
  • Fonction : Auteur
J. Martin
  • Fonction : Auteur
M. Bouchaour
  • Fonction : Auteur
T. Baghdadli
  • Fonction : Auteur
S. Oul Saad Hamadi
  • Fonction : Auteur
S. Lourdudoss
  • Fonction : Auteur
Z. Djebbour
  • Fonction : Auteur
F. Jomard
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00257353 , version 1 (19-02-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00257353 , version 1

Citer

A. Ougazzaden, S. Gautier, T. Aggerstam, J. Martin, M. Bouchaour, et al.. Progress on new wide bandgap materials BGaN, BGaAlN and their potential applications. Proceeding of SPIE 2007, 2007, United States. pp.6479. ⟨hal-00257353⟩

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