Growth of alpha-GaPO4 and alpha-GeO2 single crystals by the flux method - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Dates et versions

hal-00384006 , version 1 (14-05-2009)

Identifiants

Citer

Marion Beaurain, Pascale Armand, Philippe Papet. Growth of alpha-GaPO4 and alpha-GeO2 single crystals by the flux method. 4th European Workshop on Piezoelectric Materials, Jul 2004, Montpellier, France. pp.23-26, ⟨10.1051/jp4:2005126005⟩. ⟨hal-00384006⟩
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