TeraHertz detectors based on plasma oscillations in nanometric silicon field effect transistors - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

TeraHertz detectors based on plasma oscillations in nanometric silicon field effect transistors

Frederic Teppe
Nina Diakonova
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 883858
J. Lusakowski
  • Fonction : Auteur
F. Boeuf
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
Duncan Kennedy Maude
  • Fonction : Auteur
S. Rumyantsev
  • Fonction : Auteur
Ms Shur
  • Fonction : Auteur
Wojciech Knap
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1011541

Résumé

We report on the experiments about detection of the THz radiation by silicon FETs with nanometer gate lengths. The observed photo-responses measured as a function of the gate voltage are all in agreement with the predictions of the Dyakonov-Shur theory. The plasma wave parameters deduced from the experiments allow us to predict also the possibility of resonant detection in THz range by nanometer size silicon devices. (c) 2005 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00540642 , version 1 (28-11-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00540642 , version 1

Citer

Frederic Teppe, Ym Meziani, Nina Diakonova, J. Lusakowski, F. Boeuf, et al.. TeraHertz detectors based on plasma oscillations in nanometric silicon field effect transistors. 7th International Workshop on Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies, Jun 2004, Montpellier (FRANCE), France. pp.1413-1417. ⟨hal-00540642⟩
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