Communication Dans Un Congrès
Année : 2016
Yoann Lechaux : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02115658
Soumis le : mardi 30 avril 2019-14:00:58
Dernière modification le : jeudi 1 février 2024-10:06:19
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-02115658 , version 1
Citer
Y. Lechaux, A-B. Fadjie-Djomkam, S. Bollaert, L. Morgenroth, Nicolas Wichmann. Improvement of interfacial properties of Al2O3/GaSb using O2 plasma postoxidation process. 2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC), Oct 2016, Toulouse, France. pp.1-2. ⟨hal-02115658⟩
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