Excitons in van der Waals Heterostructures: from Monolayer to Bulk Hexagonal Boron Nitride - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019

Excitons in van der Waals Heterostructures: from Monolayer to Bulk Hexagonal Boron Nitride

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02473000 , version 1 (10-02-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02473000 , version 1

Citer

Giorgia Fugallo. Excitons in van der Waals Heterostructures: from Monolayer to Bulk Hexagonal Boron Nitride. 4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices, Sep 2019, Saint Petersburg, Russia. ⟨hal-02473000⟩
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