Model of the Weak Reset Process in HfO x Resistive Memory for Deep Learning Frameworks - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2021

Model of the Weak Reset Process in HfO x Resistive Memory for Deep Learning Frameworks

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Majumdar,Model of the_Weak_Reset_Process_in_HfOx_Resistive_Memory_for_Deep_Learning_Frameworks.pdf (6.18 Mo) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-03372056 , version 1 (07-03-2022)

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Citer

Atreya Majumdar, Marc Bocquet, Tifenn Hirtzlin, Axel Laborieux, Jacques-Olivier Klein, et al.. Model of the Weak Reset Process in HfO x Resistive Memory for Deep Learning Frameworks. IEEE Transactions on Electron Devices, 2021, 68 (10), pp.4925-4932. ⟨10.1109/TED.2021.3108479⟩. ⟨hal-03372056⟩
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