La méthode OCVD a été explorée pendant plusieurs décennies comme méthode simple et pratique pour extraire la durée de vie effective dans des homojonctions p-n en Ge et Si. La durée de vie des porteurs minoritaires est un paramètre essentiel pour optimiser le design des composants et, où être en mesure d'étudier un seul type de porteurs demeure un objectif capital. Le design d'une homojonction p-n est d'une importance majeure pour atteindre cet objectif. Nous avons effectué des simulations TCAD du signal OCVD. L'étude porte sur des homojonctions p-n en Si et en GaAs. Nous avons testé l'influence de l'épaisseur du bulk et le niveau de dopage de l'émetteur sur l'extraction de la durée de vie dans le bulk. Par le passé, ceci n'a jamais été quantifié pour le Si ni même jamais étudié pour le GaAs. Une extraction précise de la durée de vie des porteurs minoritaires dans le bulk nécessite au moins une épaisseur de bulk 4 fois plus importante que la longueur de diffusion et un dopage d'émetteur au moins deux ordres de grandeurs au dessus du dopage du bulk. Par la même occasion, les résultats obtenus dans le papier montrent que la précision d'extraction est différente entre le GaAs et le Si et également entre le bulk dopé p et dopé n.