Electron-Induced Upsets and Stuck Bits in SDRAMs in the Jovian Environment - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Electron-Induced Upsets and Stuck Bits in SDRAMs in the Jovian Environment

Résumé

This study investigates the response of SDRAMs to electron irradiation. Stuck bits, SEUs and memory cell degradation is presented in this paper, in a memory that will be part of the ESA JUICE mission.
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2020___NSREC___Electron_induced_upsets_and_stuck_bits_in_SDRAM___HAL_Version.pdf (627.5 Ko) Télécharger le fichier
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

lirmm-03028881 , version 1 (05-10-2021)

Identifiants

  • HAL Id : lirmm-03028881 , version 1

Citer

Daniel Soderstrom, Lucas Matana Luza, Heikki Kettunen, Arto Javanainen, Wilfrid Farabolini, et al.. Electron-Induced Upsets and Stuck Bits in SDRAMs in the Jovian Environment. NSREC 2020 - IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Nov 2020, Santa Fe (virtual), United States. ⟨lirmm-03028881⟩
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