Potentialities of GaN-Based Microcavities Grown on Silicon Substrates - Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2001
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03935058 , version 1 (11-01-2023)

Identifiants

Citer

N. Antoine-Vincent, F. Natali, F. Semond, M. Leroux, N. Grandjean, et al.. Potentialities of GaN-Based Microcavities Grown on Silicon Substrates. physica status solidi (a), 2001, 188 (2), pp.519-522. ⟨10.1002/1521-396X(200112)188:2%3C519::AID-PSSA519%3E3.0.CO;2-7⟩. ⟨hal-03935058⟩
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