Ge Addition during 4H-SiC Epitaxial Growth by CVD: Mechanism of Incorporation - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02025347 , version 1 (19-02-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02025347 , version 1

Citer

Véronique Soulière, Kassem Alassaad, François Cauwet, Hervé Peyre, Thomas Kups, et al.. Ge Addition during 4H-SiC Epitaxial Growth by CVD: Mechanism of Incorporation. 10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Sep 2014, Grenoble, France. pp.115-120. ⟨hal-02025347⟩
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