Efficiency enhancement ogf GaN power HEMTs by controlling gate source voltage waveform shape - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Efficiency enhancement ogf GaN power HEMTs by controlling gate source voltage waveform shape

Alaaeddine Ramadan
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 918000
Audrey Martin
Tibault Reveyrand
Jean-Michel Nebus
Philippe Bouysse
J.F. Villemazet
  • Fonction : Auteur
S. Forestier
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00435747 , version 1 (24-11-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00435747 , version 1

Citer

Alaaeddine Ramadan, Audrey Martin, Tibault Reveyrand, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, et al.. Efficiency enhancement ogf GaN power HEMTs by controlling gate source voltage waveform shape. European Microwave Conference, 2009, Rome, Italy. ⟨hal-00435747⟩

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