A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00905673 , version 1 (18-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00905673 , version 1

Citer

Kumar Sahoo Amit, Sebastien Fregonese, Mario Weib, Cristell Maneux, Thomas Zimmer. A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs. IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Sep 2013, Bordeaux, France. ⟨hal-00905673⟩
82 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More