On Morphology and Strain Field of Ge/Si(001) Islands According to TEM Phase Imaging Method - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Nanoscience and Nanotechnology Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00953985 , version 1 (28-02-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00953985 , version 1

Citer

P. Donnadieu, T. Neisius, G. Amiard, A. Gouye, A. Ronda, et al.. On Morphology and Strain Field of Ge/Si(001) Islands According to TEM Phase Imaging Method. Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2011, 11 (10), pp.9208-9214. ⟨hal-00953985⟩
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