Interface dislocations in In x Ga 1- x N/GaN heterostructures - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2017
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Dates et versions

hal-03352834 , version 1 (23-09-2021)

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Citer

I. Belabbas, G. Nouet, Q. Li, A. Minj, M-P Chauvat, et al.. Interface dislocations in In x Ga 1- x N/GaN heterostructures. physica status solidi (a), 2017, 214 (4), pp.1600442. ⟨10.1002/pssa.201600442⟩. ⟨hal-03352834⟩
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