Communication Dans Un Congrès
Année : 2020
Ludovic Goffart : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-03370192
Soumis le : jeudi 7 octobre 2021-19:14:06
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:37
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03370192 , version 1
- DOI : 10.1149/ma2020-02141358mtgabs
Citer
Ludovic Goffart, Christophe Vallée, Gabriele Navarro, Jean-Philippe Reynard, Bernard Pelissier, et al.. Oxidation Process in Ge-Rich GeSbTe Alloy for Phase-Change Memory: Mechanism, Kinetic and N-Doping Influence. ECS PRiME 2020, Oct 2020, Hawaï, United States. pp.1358-1358, ⟨10.1149/ma2020-02141358mtgabs⟩. ⟨hal-03370192⟩
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