Geant4 physics processes for microdosimetry simulation: Very low energy electromagnetic models for electrons in silicon - CNRS - Centre national de la recherche scientifique
Article Dans Une Revue Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms Année : 2012

Geant4 physics processes for microdosimetry simulation: Very low energy electromagnetic models for electrons in silicon

Audrey Valentin
Laboratoire des Sciences des Procédés et des Matériaux
CV
M. Raine
  • Fonction : Auteur
J.-E. Sauvestre
  • Fonction : Auteur
M. Gaillardin
  • Fonction : Auteur
DAM Île-de-France
P. Paillet
DAM Île-de-France

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Génie des procédés Matériaux Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electronique

Audrey Valentin  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://cnrs.hal.science/hal-03440042

Soumis le : lundi 22 novembre 2021-13:13:48

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hal-03440042 , version 1 (22-11-2021)

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Citer

Audrey Valentin, M. Raine, J.-E. Sauvestre, M. Gaillardin, P. Paillet. Geant4 physics processes for microdosimetry simulation: Very low energy electromagnetic models for electrons in silicon. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2012, 288, pp.66-73. ⟨10.1016/j.nimb.2012.07.028⟩. ⟨hal-03440042⟩

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