Communication Dans Un Congrès
Année : 2021
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https://cnrs.hal.science/hal-03477812
Soumis le : lundi 13 décembre 2021-15:39:21
Dernière modification le : jeudi 13 avril 2023-09:26:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-03477812 , version 1
Citer
Thi Quynh Phuong Vuong, Adama Mballo, Soufiane Karrakchou, Ashutosh Srivastava, Rajat Gujrati, et al.. Van der Waals epitaxy by MOCVD of III-Nitrides using two-dimensional hexagonal boron nitride : applications and persperctives. Workshop Wide bandgap materials, May 2021, Wuhan, China. ⟨hal-03477812⟩
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