Van der Waals epitaxy by MOCVD of III-Nitrides using two-dimensional hexagonal boron nitride : applications and persperctives - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

Van der Waals epitaxy by MOCVD of III-Nitrides using two-dimensional hexagonal boron nitride : applications and persperctives

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03477812 , version 1 (13-12-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03477812 , version 1

Citer

Thi Quynh Phuong Vuong, Adama Mballo, Soufiane Karrakchou, Ashutosh Srivastava, Rajat Gujrati, et al.. Van der Waals epitaxy by MOCVD of III-Nitrides using two-dimensional hexagonal boron nitride : applications and persperctives. Workshop Wide bandgap materials, May 2021, Wuhan, China. ⟨hal-03477812⟩
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