Preferential crystal orientation etching of GaN nanopillars in Cl2 plasma - CNRS - Centre national de la recherche scientifique
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2023

Preferential crystal orientation etching of GaN nanopillars in Cl2 plasma

Domaines

Physique [physics]

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https://cnrs.hal.science/hal-04216887

Soumis le : lundi 25 septembre 2023-13:42:08

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:25:28

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Dates et versions

hal-04216887 , version 1 (25-09-2023)

Identifiants

Citer

Lucas Jaloustre, Valentin Ackermann, Saron Sales de Mello, Sébastien Labau, Camille Petit-Etienne, et al.. Preferential crystal orientation etching of GaN nanopillars in Cl2 plasma. Materials Science in Semiconductor Processing, 2023, 165, pp.107654. ⟨10.1016/j.mssp.2023.107654⟩. ⟨hal-04216887⟩

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