Impact of etching process on Al2O3/GaN interface for MOSc-HEMT devices combining ToF-SIMS, HAXPES and AFM
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MatériauxOrigine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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Soumis le : mercredi 5 juin 2024-10:30:05
Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:56:50