Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2023
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://cnrs.hal.science/hal-04216926
Soumis le : lundi 25 septembre 2023-14:01:22
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:20:28
Citer
Tarek Spelta, Marc Veillerot, Eugénie Martinez, Denis Mariolle, Roselyne Templier, et al.. Impact of etching process on Al2O3/GaN interface for MOSc-HEMT devices combining ToF-SIMS, HAXPES and AFM. Solid-State Electronics, 2023, 208, pp.108743. ⟨10.1016/j.sse.2023.108743⟩. ⟨hal-04216926⟩
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