Article Dans Une Revue Semiconductor Science and Technology Année : 2019

AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range

P Sai
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D But
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I Yahniuk
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M Grabowski
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M Sakowicz
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P Kruszewski
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P Prystawko
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A Khachapuridze
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J Przybytek
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P Wiśniewski
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B Stonio
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M Słowikowski
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S Rumyantsev
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G Cywiński
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Dates et versions

hal-04840387 , version 1 (16-12-2024)

Identifiants

Citer

P Sai, D But, I Yahniuk, M Grabowski, M Sakowicz, et al.. AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range. Semiconductor Science and Technology, 2019, 34 (2), pp.024002. ⟨10.1088/1361-6641/aaf4a7⟩. ⟨hal-04840387⟩
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