Proceedings/Recueil Des Communications Année : 2019

Electrical and Noise Characteristics of Fin-Shaped GaN/AlGaN Devices for High Frequency Operation

P. Sai
  • Fonction : Auteur
D. But
  • Fonction : Auteur
M. Dub
  • Fonction : Auteur
M. Sakowicz
  • Fonction : Auteur
B. Grzywacz
  • Fonction : Auteur
P. Prystawko
  • Fonction : Auteur
G. Cywinski
  • Fonction : Auteur
S. Rumyantsev
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04840400 , version 1 (16-12-2024)

Identifiants

Citer

P. Sai, D. But, M. Dub, M. Sakowicz, B. Grzywacz, et al.. Electrical and Noise Characteristics of Fin-Shaped GaN/AlGaN Devices for High Frequency Operation. ESSDERC 2019 - 49th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), IEEE, pp.90-93, 2019, ⟨10.1109/ESSDERC.2019.8901702⟩. ⟨hal-04840400⟩
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