Proceedings/Recueil Des Communications
Année : 2019
Frederic Teppe : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://cnrs.hal.science/hal-04840400
Soumis le : lundi 16 décembre 2024-12:54:06
Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-03:22:47
Citer
P. Sai, D. But, M. Dub, M. Sakowicz, B. Grzywacz, et al.. Electrical and Noise Characteristics of Fin-Shaped GaN/AlGaN Devices for High Frequency Operation. ESSDERC 2019 - 49th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), IEEE, pp.90-93, 2019, ⟨10.1109/ESSDERC.2019.8901702⟩. ⟨hal-04840400⟩
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