Silicide formation during reaction between Ni ultra-thin films and Si(001) substrates
J. Fouet
(1)
,
M. Texier
(1)
,
M.-I. Richard
(2)
,
A. Portavoce
(1)
,
Dominique Mangelinck
(1)
,
C. Guichet
,
N. Boudet
(3)
,
O. Thomas
(4)
1
IM2NP -
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
2 IC2MP [Poitiers] - Institut de chimie des milieux et matériaux de Poitiers [UMR 7285]
3 NEEL - CRG - CRG & Grands instruments
4 TECSEN - Laboratoire de thermodynamique, propriétés électriques, contraintes, structures aux échelles nanométriques
2 IC2MP [Poitiers] - Institut de chimie des milieux et matériaux de Poitiers [UMR 7285]
3 NEEL - CRG - CRG & Grands instruments
4 TECSEN - Laboratoire de thermodynamique, propriétés électriques, contraintes, structures aux échelles nanométriques
M.-I. Richard
- Fonction : Auteur
- PersonId : 736272
- IdHAL : marie-ingrid-richard
- ORCID : 0000-0002-8172-3141
- IdRef : 130070289
Dominique Mangelinck
- Fonction : Auteur
- PersonId : 17430
- IdHAL : dominique-mangelinck
- ORCID : 0000-0002-3429-1948
- IdRef : 086297600
C. Guichet
- Fonction : Auteur