Applications of Vapor-Liquid-Solid Selective Epitaxy of Highly p-type Doped 4H-SiC: PiN Diodes with Peripheral Protection and Improvement of Specific Contact Resistance of Ohmic Contacts - Laboratoire Charles Coulomb (L2C) Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2014

Applications of Vapor-Liquid-Solid Selective Epitaxy of Highly p-type Doped 4H-SiC: PiN Diodes with Peripheral Protection and Improvement of Specific Contact Resistance of Ohmic Contacts

D. Carole
A Henry
  • Fonction : Auteur
Sylvie Contreras

Domaines

Electronique
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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hal-01987147 , version 1 (20-01-2019)

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Citer

Nicolas Thierry-Jebali, Mihai Lazar, A. Vo-Ha, D. Carole, V. Soulière, et al.. Applications of Vapor-Liquid-Solid Selective Epitaxy of Highly p-type Doped 4H-SiC: PiN Diodes with Peripheral Protection and Improvement of Specific Contact Resistance of Ohmic Contacts. Materials Science Forum, 2014, Silicon Carbide and Related Materials 2013, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.639⟩. ⟨hal-01987147⟩
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