MOVPE growth of h-BN on patterned sapphire substrates and its application on selective area growth of GaN based LEDs structures - CNRS - Centre national de la recherche scientifique Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2021

MOVPE growth of h-BN on patterned sapphire substrates and its application on selective area growth of GaN based LEDs structures

Thi Quynh Phuong Vuong
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1042027
Yacine Halfaya
  • Fonction : Auteur
Gilles Patriarche
Tarik Moudakir
  • Fonction : Auteur
Abdallah Ougazzaden
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1084105
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03477821 , version 1 (13-12-2021)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03477821 , version 1

Citer

Suresh Sundaram, Soufiane Karrakchou, Adama Mballo, Thi Quynh Phuong Vuong, Yacine Halfaya, et al.. MOVPE growth of h-BN on patterned sapphire substrates and its application on selective area growth of GaN based LEDs structures. MRS 2021, Dec 2021, Boston, United States. ⟨hal-03477821⟩
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