In-depth electrical characterization of deca-nanometer InGaAs MOSFET down to deep cryogenic temperatures
Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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francis balestra : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://cnrs.hal.science/hal-03853017
Soumis le : lundi 28 novembre 2022-15:52:08
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:03:18